Размер шрифта:
А А А
Цвета сайта:
С С С С С
Изображения
Параметры
К полной версии
Параметры шрифта:
Выберите размер шрифта:
Стандартный
Средний
Большой
Выберите шрифт:
Open Sans
Arial
Times New Roman
Интервал между символами (кернинг):
Стандартный
Средний
Большой
Выбор цветовой схемы:
Черным по белому Белым по черному Темно-синим по голубому Коричневым по бежевому Зеленым по коричневому
Изображения:
Вернуть стандартные настройки Закрыть
EN RU BY
Версия для
слабовидящих
К обычной
версии

Статьи

Все статьи

Новости

Все новости

Схемотехника биполярных аналоговых микросхем. Часть 4. Источники тока для особых применений.

О.В. Дворников, главный научный сотрудник ОАО "МНИПИ"

oleg_dvornikov@tut.by

 

Традиционная разработка высоковольтных ИС базируется на модернизации технологического процесса, направленной на увеличение пробивного напряжения между коллектором и эмиттером биполярного транзистора (БТ) за счет увеличения глубины залегания всех p-n- переходов и уменьшения концентрации примеси в полупроводниковых областях. Однако при этом ухудшаются частотные свойства транзисторов, и значительно увеличивается площадь кристалла, занимаемая ИС.

Схемотехника биполярных аналоговых микросхем. Часть 4. Источники тока для особых применений.

 

 

 


 

иконка
Остались вопросы?
Оставьте заявку и мы ответим на все вопросы
Оставить заявку

Советуем почитать

К общему списку