МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ ТРАНЗИСТОРОВ
О.В. Дворников, главный научный сотрудник ОАО "МНИПИ"
Традиционная разработка высоковольтных ИС базируется на модернизации технологического процесса, направленной на увеличение пробивного напряжения между коллектором и эмиттером биполярного транзистора (БТ) за счет увеличения глубины залегания всех p-n- переходов и уменьшения концентрации примеси в полупроводниковых областях. Однако при этом ухудшаются частотные свойства транзисторов, и значительно увеличивается площадь кристалла, занимаемая ИС.
Схемотехника биполярных аналоговых микросхем. Часть 4. Источники тока для особых применений.