Позвоните нам:
О.В. Дворников, главный научный сотрудник ОАО "МНИПИ"
В.А. Чеховский, зав. лаболаторией электронных
методов и средств эксперимента НИИ ЯП БГУ
В конструкциях обычных JFET используется изменение сопротивления канала за счет уменьшения толщины токопроводящей части канала при одновременном расширении областей пространственного заряда двух обратносмещенных p-n-переходов. Для интегральных JFET из-за особенностей формирования полупроводниковых слоев с разным типом проводимости, концентрация примеси в нижнем затворе (bottom gate, BG), залегающим в объеме полупроводника, обычно намного меньше, чем в верхнем (top gate, TG), контактирующем с поверхностью. По указанной причине, крутизна верхнего затвора намного больше, чем нижнего. Другой особенностью интегральных JFET является то, что площадь p-n-перехода нижний затвор-канал больше, чем верхний затвор-канал. Кроме того, с нижним затвором соединен p-n-переход, изолирующий JFET от других элементов, расположенных на полупроводниковой подложке. Следствием рассмотренных конструктивных особенностей является большая емкость и обратный ток нижнего затвора.
Читать статью полностью, pdf:
Проектирование аналоговых микросхем на основе базового матричного кристалла МН2ХА031
