Базовый структурный кристалл МН2ХА020 для создания быстродействующих многоканальных микросхем ядерной электроники

О.В. Дворников, главный научный сотрудник ОАО "МНИПИ"

oleg_dvornikov@tut.by

В.А. Чеховский, зав. лаболаторией электронных

методов и средств эксперимента НИИ ЯП БГУ

 

 

 

Известно, что главной задачей ядерной электроники является регистрация частиц и ионизирующих излучений. Существование различных источников частиц и ионизирующих излучений, отличающиеся требования к их анализу обусловили создание различных детекторов, преобразующих энергию ионизирующих излучений в электрические сигналы, и электронных устройств для измерений и обработки по определенным критериям данных об амплитуде, длительности фронтов, форме, времени поступления сигналов детекторов. Обычно предварительная обработка сигнала детектора осуществляется в аналоговой форме с помощью электронных устройств, при схемотехническом синтезе которых решается ряд специфических задач, а именно:

• выбор типа «головного» элемента, под которым понимают активный элемент, непосредственно соединенный с детектором: биполярный транзистор (БТ), полевой транзистор с p-n-переходом (ПТП), полевой транзистор со структурой металл-окисел-полупроводник (МОП);
• определение совокупности параметров и режима работы «головного» элемента: крутизны, коллекторного тока для БТ, тока стока для МОП и ПТП;
• разработка схемотехнической структуры и параметрическая оптимизация зарядочувствительных (ЗЧУ) или трансрезистивных усилителей для уменьшения уровня шумов и увеличения быстродействия;
• проектирование активных полосовых фильтров, называемых в ядерной электронике усилителями-формирователями (УФ), компараторов с целью минимизации потребляемой мощности при обеспечении требуемого быстродействия.

Читать статью полностью, pdf:

Базовый структурный кристалл МН2ХА020 для создания быстродействующих многоканальных микросхем ядерной электроники

 

 

 

---